报告人：梁世恒

时 间：2026-05-30 10:00:00

地 点：L1218

报告摘要：自旋轨道力矩（SOT）为实现高速度、低功耗的磁随机存储器（SOT-MRAM）提供了重要物理基础。本报告将介绍我们在非常规电荷-自旋转换方面的系列研究进展，重点包括：（1）在非共线反铁磁Mn3Sn中，利用其手性反铁磁序和kagome晶格结构，实现了高效的自旋轨道矩和新型自旋极化态；（2）通过面内结构不对称性设计，成功产生面外自旋极化分量，无需依赖倾斜各向异性或面内对称性破缺；（3）基于非共线交换相互作用的非常规SOT机制，以及晶体相梯度诱导的面外自旋极化等新效应。此外，还将汇报近期在铁电调控自旋轨道电子学方面的探索。这些成果为发展低能耗、高集成度的自旋电子学器件提供了新思路和新材料平台，展示了SOT机制从传统重金属体系向非常规磁序体系拓展的广阔前景。