樊帅伟-三峡大学数理学院核能科学与工程学院

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樊帅伟

职称：副教授
学历：研究生
毕业院校：华中科技大学

所在单位：数理学院
学位：博士
学科：物理学

电话：
地址：L1640
邮箱：phyfsw@ctgu.edu.cn

个人简介


副教授、博士、硕士生导师，2009年毕业于华中科技大学物理学院凝聚态物理专业，获理学博士学位。主要讲授课程《计算物理》、《热学》和《大学物理》等；主要从事新型功能材料的设计理论研究，研究领域如下：
1）宽禁带半导体的透明导电性研究；
2）缺陷对半导体材料电子结构、磁、光和电学性质调控研究；
3）二维材料、磁性材料、半金属材料的设计研究。
    已在Applied Materials Today、Applied Physics Letters，Applied Surface Science，Physical Review Materials、Journal of Materials Chemistry C、The Journal of Physical Chemistry C，Journal of Applied Physics等学术期刊发表研究论文六十余篇。

主持/参与的科研项目

1.主持完成国家自然科学基金《非金属元素掺杂的半导体材料磁性及其机制的研究》。项目编号：11174179.
2. 主持完成湖北省自然科学基金《缺陷对二维单层半导体材料性质影响研究》项目编号：2017CFB527.
3. 主持完成宜昌市自然科学基金《硫属碱土金属化合物的p型导电性研究》项目编号：A22-3-006.

学术论文

[1] Y. H. Deng, J. Y. Wang, G. Y. Gao and S. W. Fan*, DFT exploration of p-type conductivity and fully visible light transparency in chalcopyrite AgMCh2 (M = Al and Ga; Ch = S, Se, and Te), J. Mater. Chem. C 14, 3115-3125 (2026).
[2] S. X. Kang, S. W. Fan*, L. Yang and G. Hu, Shallowing the p-type defects in LiGaO2 by valence band engineering via lower electronegativity alloying, Appl. Mater. Today 42, 102572 (2025).
[3] S. W. Fan*, J. Chang, L. Yang and G. Hu, Wurtzite MgSe: a promising candidate with excellent visible light transparency and p-type conductivity, J. Mater. Chem. C 13, 7150-7158 (2025).
[4] S. W. Fan*, S. X. Kang and S. H. Wei+, CuGaS2 alloys wide gap semiconductor LiGaS2 to a potential transparent p-type conducting material, Phys. Rev. Mater. 9, 124607 (2025).
[5] Y. Deng, Q. Wei, L. Yang and S. W. Fan*, Ba2SiSe4: a promising candidate with visual light transparency and p-type electrical conductivity, J. Mater. Chem. C 13, 16195-16201 (2025).
[6] S. X. Kang, S. W. Fan* and G. Hu, Great reduction of the hole effective mass in wide bandgap semiconductors by highly mismatched alloying, Phys. Chem. Chem. Phys. 27, 5694-5700 (2025).
[7] J. Chang, S. Kang, Y. Chen and S. W. Fan*, The electronic structure, optical property and n-type conductivity for W-doped α-Ga2O3: hybrid functional study, J. Phys. D: Appl. Phys. 57, 385107 (2024).
[8] Y. Chen, S. W. Fan* and P. Xu, Defect induced ambipolar conductivity in wide-bandgap semiconductor SrS: Theoretical perspectives, Appl. Phys. Lett. 121, 252102 (2022).
[9] S. W. Fan*, Y. Chen and L. Yang, Transparency and p-type Conductivity of BeSe Doped with Group VA Atoms: A Hybrid Functional Study, J. Phys. Chem. C 126, 19446-19454 (2022).
[10] Z. Wang, S. W. Fan*, H. G. Piao and Z. S. Lu, Monolayer Mo2B: A non-magnetic metal and potential application as anode material for ion batteries and catalyst for hydrogen evolution, Appl. Surf. Sci. 538, 148026 (2021).
[11]S. W. Fan*, X. N. Huang, K. L. Yao, Boron doped GaN and InN: Potential candidates for spintronics, J. Appl. Phys. 121, 073905 (2017).
[12] S. W. Fan*, L. J. Ding, Z. L. Wang and K. L. Yao, Half-metallic ferromagnetism in wurtzite ScM (M=C, Si, Ge, and Sn): Ab initio calculations, Appl. Phys. Lett. 102, 022404 (2013).
[13] S. W. Fan*, K. L. Yao+ and Z. L. Liu, Half-metallic ferromagnetism in C-doped ZnS: Density functional calculations, Appl. Phys. Lett. 94, 152506 (2009).

荣誉获奖

三峡大学优秀教师，三峡大学“151人才”学术骨干。