胡功伟-三峡大学数理学院核能科学与工程学院

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胡功伟

职称：副教授
学历：博士研究生
毕业院校：电子科技大学

所在单位：数理学院
学位：理学博士
学科：半导体器件，压电传感芯片，俘能技术与自驱动应用

电话：
地址：理科楼L1619
邮箱：gwhu@ctgu.edu.cn

个人简介


胡功伟，男，湖北黄冈红安人，理学博士，硕士研究生导师。2014年于三峡大学获得工学学士学位，2017年于兰州大学物理科学与技术学院获得理学硕士学位，2021年于电子科技大学物理学院获得理学博士学位（硕博导师张岩教授）。2023年入职三峡大学数理学院，2025年获聘副教授。近年来，主要从事压电半导体相关方面的研究，在器件物理仿真与制造、压电传感芯片设计与制造、俘能技术与自驱动应用等方面开展前沿工作，以第一/通讯作者在Advanced Science、ACS Nano、Nano Energy、Chemical Engineering Journal、Nano Research、Communications Physics和Applied Physics Letters等国际权威期刊上发表SCI论文40余篇，主持国家级和省部级科研项目多项，担任Nano Energy、Nano Research和Chemical Engineering Journal等国际权威学术期刊审稿人。
【课题组简介】课题组科研经费充足，平台条件良好，学术氛围融洽，导师认真负责，指导多届本科生和研究生发表SCI一区论文和发明专利，面向物理类专业和光电类专业招收硕士研究生，欢迎优秀本科生参加科研训练。
【合作与机遇】（1）与多所高校课题组保持长期深度合作；（2）为研究生提供定制化培养方案、高水平论文发表支持、联合培养机会；（3）为本科生提供早期科研训练平台、学术论文指导、仪器操作实践
【加入我们】我们特别期待具备以下特质的伙伴加入：物理专业和光电专业背景，对半导体器件研究充满热情，具备较强实验动手能力者优先
【特别注意】成绩不是唯一标准，英语也不是必要条件，兴趣还可以继续培养，相对而言，更重要的是具有端正的态度，认真努力、团结协作、敢想敢干！
■ 研究方向
1、半导体器件设计与应用
2、压电传感芯片制造与设计
3、基于压电和摩擦电的俘能技术与自驱动应用

主持/参与的科研项目

1. 湖北本科高校省级教学改革研究项目（研究生）：基于教育知识图谱的研究生智慧课堂创新研究，2025 ~ 2027年，主持
2. 省教育厅科学技术研究计划优秀中青年人才项目：基于隧道效应的高性能压电应变传感器的设计及应用研究，2024 ~ 2026年，主持
3. 国家自然科学基金青年项目：压电电子学隧道结力电耦合及载流子注入特性研究，2025 ~ 2027年，主持
4. 湖北省自然科学基金青年项目：GaN异质结共振隧穿输运的压电极化调控研究，2024 ~ 2026年，主持
5. 宜昌市自然科学研究项目：纤锌矿拓扑量子阱中的自旋输运性质及其器件研究，2024 ~ 2025年，主持
6. 三峡大学人才科研启动项目：压电半导体中拓扑量子态的压电极化调控研究，2023 ~ 2026年，主持

学术论文

32. Hu G*, Zhang Y, Hu J, Li L*, and Huang F*, Entangled Bulk-Interface Piezotronic Effect in Polar Heterojunction. Nano Research, 2026. (Q1，IF = 9.4)
31. Hu G*, Dong X, Zhang Y, et al. Electrically Tunable Piezotronic Transistor by Coupling Interface Polar Symmetry and Strain Gradient[J]. Advanced Science, 2026: e76341. (Q1，IF = 14.1)
30. Hu G*, Zhang Y, Lu X, et al. Polarization-dimension competition in centrosymmetric flexoelectronic transistors[J]. Materials Today Physics, 2026: 102121. (Q1，IF = 9.3)
29. Hu G*, Zeng L, Zhang Y, Peng Y, Dong X, Liu M, Pan L, Chao Y, Li L*, Huang W*, Huang F*. High-Sensitivity and Fast-Response Piezotronic Pressure Sensors by Mechanical Stacking in Silicon Wafer[J]. ACS nano, 2026. （Q1，IF = 17.3）
28. F Huang*, Y Sun, J Hu, C Liu, H Zhou, N Chen, T Li, Y Li, G Hu*, W Huang*. High-Performance (PEA) 2PbI4/SnS2 van der Waals Heterostructure Phototransistor with Gate-Tunable Breaking of the Responsivity–Speed Trade-Off[J]. ACS nano, 2026. （Q1，IF = 17.3）
27. Jiang Y, Xue X, Shi W L, Dong X, Peng Y, Hu G*, Wang W Y, Dan M, Huang F*, Chen Q*. Geometry-controlled spin filtering in MoS2 nanoribbon junctions[J]. Applied Physics Letters, 2025, 127(21). （Q2，自然指数）
26. Huang F*, Hu J, Sun Y, Chen J, Li T, Hu G*, Huang W*. Two-Dimensional MoS2/SnS2 Isotype van der Waals Heterojunction Photodetectors with Thickness-Dependent Gate-Tunable Rectification Reversal[J]. ACS Photonics, 2025, 12(12): 6638-6649. （Q1，IF = 6.0）
25. Hu G*, Zhang Y, Chao Y, Huang F*, Li, M, Liu M, Huang W*. Tunable sensitivity of strain sensor by coupling piezotronic and tunneling effects[J]. Nano Energy, 2025: 111440. （Q1，IF = 17.3）
24. Huang F*, Chao Y, Li M, Liu M, Hu G*, Huang W*. Piezotronic effect driven by symmetry breaking in centrosymmetric semiconductors[J]. Nano Energy, 2025: 111403. （Q1，IF = 17.3）
23.   Jiang Y, Dan M, Fan S, Hu G*, Huang F*, Wang W, Chen Q*. Geometry engineering of tunneling transistors in transition metal dichalcogenide nanoribbon heterojunctions[J]. Communications Physics, 2025, 8(1): 189. （Q1，IF = 5.3）
22.   Huang F*, Liu C, Yang Q, Y Chao, G Hu*, W Huang*. Lead-Based Perovskites Significantly Suppress Dark Currents toward High-Performance Multilayer SnS2/Perovskite Photodetectors[J]. ACS Nano, 2025, 19 (11), 10989-11000. （Q1，IF = 16.7）
21.   Huang F*, Yang Q, Sun Y, J Chen, C Liu, Y Chao, J Hu, G Hu*, W Huang*. Insight into the Effect of h-BN Modification on the Performance of MoS2 Phototransistors with van der Waals Contacts[J]. ACS Applied Nano Materials, 2025. 
20.   Hu G*, Yang J, Chen H, M Liu, S Fan, F Huang*, M Dan*. Engineering of topological tunneling transistors via quantum point contact[J]. Physical Review Applied, 2025, 23(3): 034074. （Q1，IF = 4.4）
19.   Huang F*, Chao Y, Yang Q, M Dan, Q Chen, G Hu*, W Huang*. Piezotronic strain sensor with uniform and switchable sensitivity by conductivity transformation[J]. Nano Energy, 2025, 134: 110535. （Q1，IF = 17.3）
18.   Huang F*, Yang Q, Ding Y, C Liu, Y Chao, G Hu*, W Huang*. Organic–Inorganic Hybrid Perovskite Photosensitive Field‐Effect Transistor Enabled by Poly (3‐Hexylthiophene‐2, 5‐Diyl) Channel Layer[J]. Advanced Optical Materials, 2025, 13(4): 2402376. （Q2，IF = 8.0）
17.   Hu G*, Zeng L, Huang F*, Fan S, Q Chen, Huang W*. A switchable high-sensitivity strain sensor based on piezotronic resonant tunneling junctions[J]. Nano Research, 2024, 17(11): 10242-10254. （Q1，IF = 9.4）
16.   Huang F*, Ding Y, Liu C, Hu G*, Makarov S, Zhang D, W Huang*. Performance Improvement of Formamidinium‐Based Perovskite Photodetector by Solution‐Processed C8‐BTBT Modification[J]. Advanced Optical Materials, 2024, 12(21): 2400519. （Q2，IF = 8.0）
15.   Gongwei Hu, Fobao Huang*, Wei Huang*. Layer engineering piezotronic effect in two-dimensional homojunction transistors. Nano Energy, 2023, 117: 108880. （Q1，IF = 16.8）
14.   Gongwei Hu*, Fobao Huang, Jun-Feng Liu*. Ultrasensitive Strain Sensor Based on a Tunnel Junction with an AlN/Ga N Core-Shell Nanowire. Physical Review Applied, 2023, 19(1): 014066. （Q2）
13.   Xin Xue, Fobao Huang, Gongwei Hu*. Spin polarization in quantum point contact based on wurtzite topological quantum well. Physical Chemistry Chemical Physics, 2023, 25(38): 26164-26171. （Q2）
12.   Gongwei Hu*, Fobao Huang, Jun-Feng Liu*. Piezoelectric manipulation of spin–orbit coupling in a Wurtzite heterostructure. Physical Chemistry Chemical Physics, 2023, 25(34): 23001-23011. （Q2）
11.   Gongwei Hu, Minjiang Dan, Yan Zhang*. Polarization Field on Edge States of Single-layered MoS2[C]//Journal of Physics: Conference Series. IOP Publishing, 2021, 2002(1): 012053.
10.   Minjiang Dan, Gongwei Hu, Jiaheng Nie, Lijie Li*, Yan Zhang*. High‐Performance Piezo‐Phototronic Devices Based on Intersubband Transition of Wurtzite Quantum Well. Small, 2021, 17(13): 2008106. （Q1）
9.   Gongwei Hu, Yan Zhang*. Quantum piezotronic devices based on ZnO/CdO quantum well topological insulator. Nano Energy, 2020, 77: 105154. （Q1）
8.   Ruhao Liu, Gongwei Hu, Minjiang Dan, Yaming Zhang, Lijie Li*, Yan Zhang*. Piezotronic spin and valley transistors based on monolayer MoS2. Nano Energy, 2020, 72: 104678. （Q1）
7.   Ke Wang, Gongwei Hu, Ruhao Liu, Yaming Zhang, Minjiang Dan, Lijie Li*, Yan Zhang*. Polarization-driven edge-state transport in transition-metal dichalcogenides. Physical Review Applied, 2020, 13(5): 054074. （Q1）
6.   Nian Liu, Gongwei Hu, Minjiang Dan, Ruhao Liu, Yaming Zhang, Lijie Li*, Yan Zhang*. Piezo-phototronic effect on quantum well terahertz photodetector for continuously modulating wavelength. Nano Energy, 2019, 65: 104091. （Q1）
5.   Xin Guo, Gongwei Hu, Yaming Zhang, Ruhao Liu, Minjiang Dan, Lijie Li*, Yan Zhang*. Quantum information memory based on reconfigurable topological insulators by piezotronic effect. Nano Energy, 2019, 60: 36-42. （Q1）
4.   Gongwei Hu, Lijie Li*, Yan Zhang*. Two-dimensional electron gas in piezotronic devices. Nano Energy, 2019, 59: 667-673. （Q1）
3.   Minjiang Dan, Gongwei Hu, Lijie Li*, Yan Zhang*. High performance piezotronic logic nanodevices based on GaN/InN/GaN topological insulator. Nano Energy, 2018, 50: 544-551. （Q1）
2.   Gongwei Hu, Yan Zhang*, Lijie Li, Zhong Lin Wang*. Piezotronic transistor based on topological insulators. ACS Nano, 2018, 12(1): 779-785. （Q1）
1.   Gongwei Hu, Yujing Zhang, Lu Luo, Yang Yang, Yan Zhang*, Zhong Lin Wang*. Piezotronic transistors in nonlinear circuit: Model and simulation. Science China Technological Sciences, 2015, 58: 1348-1354.

专利

1. 胡功伟，方崇颖，江郭哲，刘敏，李梦璐，以铌掺杂钛酸锶为衬底的肖特基器件的制备方法及应用，2026-04-10，中国发明专利，CN121843136A
2. 胡功伟，丁树斌，江野，曾黎，Si/GaN 异质结构压力传感器及其制备方法和使用方法，2025-12-12，中国发明专利，CN121113309A
3. 胡功伟，丁树斌，董晓铭，金嘉会，杨先卫，高集成度和高度可控灵敏度的压力传感器及其制备方法和应用，2025-11-21，中国发明专利，CN120992062A
4. 胡功伟，胡开，江野，晁勇，董晓铭，张依涵，黄佛保，陈桥，刘敏，潘礼庆，基于MIS隧道结的双重灵敏度压电应变传感器及设计方法，2025-09-02，中国发明专利，CN120576653A
5. 胡功伟，金嘉会，彭胤霖，刘敏，潘礼庆，基于反向极化的高灵敏和超快响应的压电应力传感器，2025-09-02，中国发明专利，CN120576910A
6. 胡功伟，江野，陈桥，刘敏，杨先卫，潘礼庆，基于边缘工程 MoS2 纳米带异质结的自旋晶体管及设计方法，2025-08-29，中国发明专利，CN120562374A
7. 胡功伟，江野，陈桥，基于TMDS纳米带材料的隧穿晶体管设计方法，2025-06-13，中国发明专利，CN120145973A

荣誉获奖

1. 湖北省教学成果奖，数智联通格物致理：新工科物理核心素养培育体系的创新与实践，一等奖，2025年，9/10。
2. 全国高校教师数智教育创新大赛，大学物理，特等奖，2025年，3/4。
3. 第六届湖北省高校教师教学创新大赛，物理实验（II），一等奖，2026年，4/4。
4. 第五届湖北省高校教师教学创新大赛，大学物理（V），二等奖，2025年，4/4。
5. 第九届“优利德杯”湖北省大学生物理实验创新设计竞赛，分光计调节及应用，三等奖，2024年，1/2。